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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]利用缓冲层技术提高透明导电层穿透率之技术-CN201110283649.5无效
发明人：简唯伦;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明主要是利用缓冲层技术提高透明导电层穿透率之技术，以加入缓冲层于玻璃与透明导电层之间，调整其光折射率方式来增加光穿透率，提升太阳能电池发电效率。在镀制透明导电薄膜层之前，先在玻璃基板上镀制一层折射率在1.5缓冲层，减少玻璃基板与透明导电层之间的折射率差异，增加光穿透的机率，以提升太阳能电池有效光源。
利用缓冲技术提高透明导电穿透

[发明专利]缓冲层绒毛结构透高效能透明导电层技术-CN201110283742.6无效
发明人：简唯伦;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明主要是缓冲层绒毛结构透高效能透明导电层技术，以加入拥有绒毛表面结构缓冲层于玻璃与透明导电层之间，调整其光折射率方式来增加光穿透率，和增加表面积，提高表面折射角度分布，提升光在太阳能组件内行进距离，在镀制透明导电薄膜层之前，先在玻璃基板上镀制一层折射率在1.5缓冲层，减少玻璃基板与透明导电层之间的折射率差异，增加光穿透的机率，之后在其缓冲层表面进行蚀刻，产生绒状结构，提升光在太阳能组件内行进距离，增加光利用率，最后再镀制上透明导电层，完成高效能高穿透率之透明导电层。
缓冲绒毛结构高效能透明导电技术

[发明专利]缓冲层的成膜方法及缓冲层-CN201480076630.5有效
发明人：白幡孝洋;织田容征;平松孝浩;小林宏 -专利权人：东芝三菱电机产业系统株式会社
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L31/0256 文献下载
摘要：本发明涉及一种配置于光吸收层与透明导电膜之间的、用于太阳能电池的缓冲层的成膜方法。具体来说，该缓冲层的成膜方法是使包含锌和铝作为上述缓冲层的金属原料的溶液(4)雾化。
缓冲方法

[发明专利]缓冲层形成-CN201180036079.8无效
发明人：马库斯·E·比克 -专利权人：第一太阳能有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：制造光伏器件可以包括气相传输沉积工艺。
缓冲形成

[实用新型]一种多功能墙布-CN201921916068.9有效
发明人：康子川 -专利权人：绍兴梓迈纺织有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： E04F13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能墙布,涉及墙布技术领域，旨在解决由于墙布低缓冲导致的不防撞问题，其技术方案要点是包括胶黏层，胶黏层上设有缓冲层，缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，第一缓冲层位于胶黏层与第二缓冲层之间，第二缓冲层远离第一缓冲层的一侧设有表层，第二缓冲层为缓冲条，缓冲条通过半弹线固定连接在第一缓冲层上。
一种多功能

[实用新型]缓冲结构及缓冲件-CN202121182178.4有效
发明人：李业 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： B65D81/113 文献下载
摘要：本申请提供一种缓冲结构及缓冲件，涉及产品包装技术领域。其中，缓冲结构包括：本体，所述本体包括层叠设置的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第二缓冲层至少设置于所述第一缓冲层的一侧表面；其中，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层采用同种材料制成，且形成所述第二缓冲层的材料的密度大于形成所述第一缓冲层的材料的密度；第一切割缝隙，至少用于切割所述第一缓冲层，以使所述本体可沿所述第一切割缝隙折叠。本申请技术方案能够解决缓冲材料受限于材料本身的密度，对产品的缓冲和保护可靠性差的技术问题。
缓冲结构

[实用新型]复层缓冲结构-CN201520539719.2有效
发明人：吴昇桦;杨念苍 -专利权人：丁守企业股份有限公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： A43B23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复层缓冲结构，其包含底层、多个弹性体及表层。其中底层包含吸孔与上表面。而各弹性体包含顶面、侧面及底面，底面连接底层且覆盖上表面的区域，其中两个弹性体间具有间距。此复层缓冲结构利用真空吸塑致使表层紧密地覆盖贴合底层、顶面及侧面，并使材料具有立体感、缓冲效果以及可挠曲性。
缓冲结构

[发明专利]线的缓冲层-CN200780042703.9无效
发明人： Z·雅尼弗;李运钧;茅东升 -专利权人：应用纳米技术控股股份有限公司
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： A63B51/02 文献下载
摘要：提供一种薄缓冲层(303)，该缓冲层用于涂覆在包覆线的多根丝(401)上以填充空隙。缓冲层涂层的聚合物在涂覆过程中具有高熔体流动(低粘度)，以填充丝之间的所有空隙，所述丝通过该涂层固定在芯基材上。
缓冲

[发明专利]一种带复合缓冲层的LED外延结构-CN201510330175.3在审
发明人：张荣荣;李鹏飞;林政志;曾颀尧;郑建钦;田宇;徐晶;王朋乔;韦春余 -专利权人：南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种带复合缓冲层的LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明结构从下到上依次包括蓝宝石衬底层、缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、量子阱发光层、电子阻挡层和p型GaN层。其结构特点是，所述缓冲层为复合缓冲层。缓冲层包括从下到上依次生长的低温缓冲层、高温GaN层以及低温缓冲插入层或者中温缓冲插入层。同现有技术相比，本发明通过在高温GaN外延层中插入低温缓冲层或者中温缓冲层，来实现降低位错密度，以提高晶体结构质量。
一种复合缓冲 led 外延结构

[实用新型]一种具有夹层缓冲结构的鞋底-CN201220430348.0有效
发明人：胡利军 -专利权人：杭州舒奈尔天然纤维科技有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： A43B13/20 文献下载
摘要：一种具有夹层缓冲结构的鞋底，属于鞋底技术领域。其包括上缓冲层、下缓冲层及配合设置在上缓冲层和下缓冲层之间的中间缓冲层，所述中间缓冲层包括缓冲层主体，所述缓冲层主体上下表面对称设置上下缓冲柱。该鞋底能够有效起到缓冲作用，有效缓解脚部疲劳。
一种具有夹层缓冲结构鞋底

[发明专利]光伏器件-CN202211528841.0在审
发明人：梅芳;王大鹏;齐鹏飞 -专利权人：宸亚（兰考县）科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种光伏器件，包括：层叠设置的层板、透光导电层、HRT缓冲层、窗口层、吸收层以及背接触层，其中，HRT缓冲层包括：n层子HRT缓冲层，n≥2，第n层子HRT缓冲层位于第n‑1层子HRT缓冲层与窗口层之间，后一层子HRT缓冲层的电阻高于前一层子HRT缓冲层的电阻。应用本发明的技术方案能够有效地解决现有技术中光伏器件的效率低的问题。
器件

[实用新型]一种运动缓冲垫-CN202320463751.1有效
发明人：逄鹏;王慧君;韩军;戴浩昱 -专利权人：青岛国恩体育草坪有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： A63B6/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种运动缓冲垫，属于体育防护用品技术领域，其技术方案的要点是包括缓冲橡胶层，所述缓冲橡胶层的底部设置有气体缓冲层，所述气体缓冲层的下部设置有PVC材料层；所述气体缓冲层内部设置有用于冲入缓冲气体的缓冲腔；所述缓冲腔连通有控制气体通断的气阀；本实用新型在满足收纳要求的基础上，具有更加良好的缓冲隔震效果。
一种运动缓冲

[实用新型]一种抗砸钢化玻璃-CN201921117078.6有效
发明人：唐海林 -专利权人：南京居德玻璃有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： B32B17/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种抗砸钢化玻璃，属于钢化玻璃技术领域，具有良好的抗砸效果,其技术方案要点是：包括缓冲层、分别设置在缓冲层两侧的胶片层和位于胶片层两侧的玻璃外层，所述缓冲层、胶片层和玻璃外层的连接外缘处设置有缓冲边框，所述缓冲层包括缓冲外板和设置在缓冲外板中的PC缓冲板，所述PC缓冲板与缓冲外板之间设置有若干沿高度方向阵列的卸力片。
一种钢化玻璃

[发明专利]薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201910108331.X在审
发明人：辛科;叶亚宽;王磊;杨立红 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本申请涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及一种薄膜太阳能电池及其制备方法。薄膜太阳能电池包括依次设置的基板、背电极层、光吸收层、缓冲层、前电极层，所述缓冲层包括层叠设置的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层包括ZnOS膜层。本技术方案提供的薄膜太阳能电池中采用ZnOS膜层代替现有技术中的CdS膜层缓冲层，制备无镉缓冲层CIGS太阳能电池。采用ZnOS膜层作为缓冲层的薄膜太阳能电池可以避免使用重金属镉，免去工业上复杂的重金属处理工艺，同时会生产工人身体的危害大幅降低。
薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法-CN201110188036.3无效
发明人：徐明;芦伟;董成军;黄勤珍 -专利权人：西南民族大学
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法，其工艺步骤依次如下：(1)以Si(111)为衬底，在室温、常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将经步骤(1)处理过的衬底放入溅射室，以Al0.25In0.75合金为靶材，在真空条件下采用磁控溅射法在衬底上生长第一缓冲层AlInN；(3)第一缓冲层AlInN生长结束后，将靶材更换为Al，在真空条件下采用磁控溅射法完成第二缓冲层AlN在第一缓冲层AlInN上的生长；(4)第二缓冲层AlN生长结束后，将靶材更换为Al0.5In0.5合金，在真空条件下采用磁控溅射法完成AlInN薄膜在第二缓冲层AlN上的生长。
一种采用缓冲技术制备 alinn 薄膜方法

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